СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках

Васильев А.Г.

под заказ

Цена в интернет-магазине: 469,00 руб.

ISBN: 978-5-94836-290-8
Внешнее покрытие издания: в пер.
Тираж издания: 1000
Фамилия автора в заголовке: Васильев
Инициалы автора (личного имени (имен)): А.Г.
Основное заглавие: СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках
Первые сведения об ответственности: Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А.
Место издания: М.
Издатель: Техносфера
Дата издания: 2012
Объем издания (количество страниц): 256
Высота, см.: 22
Заглавие серии: Мир электроники
Индекс УДК: 621.375-421
Статус записи (Тип информации): В наличии
Ширина, см: 15,5
Толщина, см: 1,5
Вес в граммах: 300
Индекс ББК: 32
Артикул: 2270965

Описание

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (HEMT). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 "Электроника и наноэлектроника". Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.