ISBN: 978-5-94836-293-9
Внешнее покрытие издания: в пер.
Тираж издания: 1500
Фамилия автора в заголовке: Эрентраут
Инициалы автора (личного имени (имен)): Д.
Основное заглавие: Технология выращивания кристаллов нитрида галлия
Сведения, относящиеся к заглавию: пер. с англ.
Первые сведения об ответственности: Эрентраут Д. Мейсснер Э. Боковский М.
Место издания: М.
Издатель: Техносфера
Дата издания: 2011
Объем издания (количество страниц): 384
Высота, см.: 24,5
Заглавие серии: Мир радиоэлектроники
Индекс УДК: 539.2
Статус записи (Тип информации): В наличии
Ширина, см: 17,5
Толщина, см: 3
Вес в граммах: 1 000
Индекс ББК: 22.37
Артикул: 2289203
Аннотация:

Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях

Книги из серии «Мир радиоэлектроники»: