ISBN: 5-8360-0068-9
Внешнее покрытие издания: в пер.
Тираж издания: 1000
Основное заглавие: Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Последующие сведения об ответственности: Под. ред. Ю. А. Осипьяна
Место издания: М.
Издатель: Эдиториал УРСС
Дата издания: 2000
Объем издания (количество страниц): 319
Высота, см.: 22
Индекс УДК: 539.2/.6
Статус записи (Тип информации): В наличии
Вес в граммах: 440
Артикул: 1116650
Аннотация:

Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокаций в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях А2 В6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю. А. Осипьяном совместно с его учениками, являющимся ведущим специалистами в области физики дислокаций в полупроводниках.