ISBN: 978-5-4263-0118-4
Внешнее покрытие издания: в обл.
Тираж издания: 500
Фамилия автора в заголовке: Чулкова Г.М., Корнеев А.А., Смирнов К.В., Окунев О.В., Семенов А.В., Дивочий А.В., Тархов М.А., Воронов Б.М., Каурова Н.С., Селезнев В.А., Гольцман Г.Н.
Основное заглавие: Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе
Место издания: Москва
Издатель: Прометей
Дата издания: 2012
Объем издания (количество страниц): 144
Высота, см.: 21.5
Индекс УДК: 53
Статус записи (Тип информации): В наличии
Ширина, см: 14.5
Толщина, см: 0.46
Вес в граммах: 244
Индекс ББК: 22.379.23
Возрастная категория: 18+
Артикул: 2539801
Аннотация:

Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электрон-фононное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интесивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фононами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. В работе отражены результаты исследований авторов, проведенных в 1994-2010 гг. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.

Читайте также: