В монографии изложены основные принципы построения и анализ работы термоэлектрических полупроводниковых устройств и интенсификаторов теплопередачи, а также изложены основные принципы применения светоизлучающих полупроводниковых p–n-переходов, отводящих энергию в окружающее пространство в виде электромагнитного излучения. Новый тип термоэлектрических полупроводниковых приборов обладает большим быстродействием, энергоэффективностью, мощностью и надежностью за счет уменьшения доли паразитных тепловыделений, снижения величины резистивного сопротивления и рекуперации части электромагнитного излучения. Перспективным направлением является достижение глубокого охлаждения до уровня абсолютного нуля по Кельвину с целью создания сверхпроводящих криотронных микроэлектронных устройств.
Для инженеров и научных сотрудников, занимающихся проблемой охлаждения компонентов микроэлектронной аппаратуры, а также для специалистов, занимающихся термоэлектрическим приборостроением. Монография может быть полезной для студентов вузов направлений подготовки бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника», «Приборостроение» и аспирантов направлений подготовки «Электро- и теплотехника», «Электроника, радиотехника и системы связи», «Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии».
Дополнительные сведения:
Артикул: 3265801 |
ISBN: 978-5-8114-5376-4 |
Тип переплета: мягкий |
Тираж: 30 |
Язык оригинала: rus |
Название: Полупроводниковые термоэлектрические энергоэффективные устройства. |
Автор: Т. А. Исмаилов, Х. М. Гаджиев |
Место издания: Санкт-Петербург |
Издатель: Лань |
Дата издания: 2020 |
Количество страниц: 124 |
Высота, см.: 23,5 |
Ширина, см: 16,5 |
Толщина, см: 0,6 |
Вес в граммах: 178 |
Возрастная категория: 0+ |